短溝道效應對閾值電壓的影響,mosfet短溝道效應介紹
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一、短溝道效應概述
在金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）中，當導電溝道長度縮小至十幾納米甚至幾納米量級時，會引發(fā)一系列獨特的物理效應，統(tǒng)稱為短溝道效應（Short Channel Effect, SCE）。這些效應具體表現(xiàn)為閾值電壓隨溝道長度減小而降低、漏致勢壘降低（DIBL）、載流子表面散射、速度飽和、離子化以及熱電子效應等。
二、短溝道效應的影響
當 MOSFET 的溝道長度（L）縮小至與耗盡區(qū)寬度相當?shù)某潭葧r，器件的電學特性發(fā)生顯著變化，與長溝道器件的行為模式產(chǎn)生明顯偏差。在半導體器件設計中，這種偏差體現(xiàn)在多個關鍵參數(shù)上，如閾值電壓（VT）、亞閾值擺幅（SS）、漏電流（leakage current）等。
隨著 MOSFET 尺寸的持續(xù)縮小，尤其是溝道長度的不斷縮短，短溝道效應愈發(fā)顯著。其中，直接隧穿和熱載流子注入等效應會改變溝道中的電荷分布和電場分布，進而影響閾值電壓，通常導致閾值電壓降低和亞閾值擺幅增大。
三、閾值電壓漂移現(xiàn)象
當器件溝道長度減小至深亞微米結(jié)點時，閾值電壓會出現(xiàn)顯著的下降，這就是短溝器件的閾值電壓漂移現(xiàn)象。
在短溝器件中，隨著漏端電壓的升高，源漏的耗盡區(qū)在溝道中相互靠近，導致溝道區(qū)的電勢降低，這種現(xiàn)象被稱為漏致勢壘降低（DIBL）效應。
在短溝器件中，隨著漏端電壓的升高，源漏的耗盡區(qū)在溝道中相互靠近，導致溝道區(qū)的電勢降低，這種現(xiàn)象被稱為漏致勢壘降低（DIBL）效應。
溝道區(qū)勢壘的降低使得器件的閾值電壓隨著源漏偏壓的升高而降低。DIBL 效應的嚴重程度與漏端偏壓的升高和溝道長度的減小呈正相關。通常，可以通過測量器件在漏端偏壓下分別工作在線性區(qū)和飽和區(qū)時的閾值電壓差值，來評估 DIBL 效應的嚴重程度。
由于溝道區(qū)勢壘降低，即使柵源電壓小于閾值電壓，也會有少量載流子從源端漂移到漏端，導致器件的亞閾值電流增大。因此，DIBL 效應使得器件的閾值電壓會隨著源漏偏壓的改變而發(fā)生漂移。
四、2D nMOSFET 仿真結(jié)果
通過對2D nMOSFET進行仿真，得到其id-Vg曲線。結(jié)果顯示，當柵極長度（Lg）小于600 nm時，2D nMOSFET表現(xiàn)出嚴重的短溝道效應。
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