MOS管是什么?
MOS管，即MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），因其柵極被絕緣層隔離，又被稱為絕緣柵場效應(yīng)管。它主要分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型、P溝耗盡型和增強(qiáng)型這四大類別。
部分MOSFET內(nèi)部存在一個(gè)體二極管，也被稱為寄生二極管或續(xù)流二極管。關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種常用解釋：其一，在VDD出現(xiàn)過壓狀況時(shí)，該二極管能夠率先反向擊穿，將大電流直接導(dǎo)向地面，從而避免過壓對MOS管造成破壞；其二，它可以防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒毀MOS管，同時(shí)在電路中存在反向感生電壓時(shí)，為這些電壓提供通路，防止反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET憑借高輸入阻抗、快速開關(guān)速度、良好的熱穩(wěn)定性以及電壓控制電流等特性，在電子電路中廣泛應(yīng)用，尤其適用于高頻電源領(lǐng)域，如開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱設(shè)備、高頻逆變焊機(jī)以及通信電源等場景，其工作頻率可達(dá)到幾百kHz甚至上MHz。
IGBT是什么？
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種由晶體三極管和MOS管構(gòu)成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。在電路符號方面，目前尚未統(tǒng)一，通常在繪制原理圖時(shí)會借鑒三極管或MOS管的符號，此時(shí)需依據(jù)原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
此外，需要注意的是，除非官方資料特別說明，否則IGBT內(nèi)部一般存在體二極管。與MOSFET不同，IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生，而是特意設(shè)置用于保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓性能，也被稱為FWD（續(xù)流二極管）。若要判斷IGBT內(nèi)部是否配備體二極管，可用萬用表測量IGBT的C極和E極，若測得電阻值為無窮大，則表明該IGBT沒有體二極管。
此外，需要注意的是，除非官方資料特別說明，否則IGBT內(nèi)部一般存在體二極管。與MOSFET不同，IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生，而是特意設(shè)置用于保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓性能，也被稱為FWD（續(xù)流二極管）。若要判斷IGBT內(nèi)部是否配備體二極管，可用萬用表測量IGBT的C極和E極，若測得電阻值為無窮大，則表明該IGBT沒有體二極管。
作為一種新型電子半導(dǎo)體器件，IGBT具備高輸入阻抗、低電壓控制功耗、簡單控制電路、耐高壓以及大電流承受能力等特性。在結(jié)構(gòu)層面，IGBT是通過在MOSFET的漏極上增加特定層而形成的，其實(shí)質(zhì)上是MOSFET與晶體管三極管的組合。盡管MOSFET存在導(dǎo)通電阻較高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一問題，在高壓環(huán)境下仍能維持較低的導(dǎo)通電阻。不過，與相似功率容量的MOSFET相比，IGBT的速度可能稍遜一籌，原因在于IGBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，這會導(dǎo)致死區(qū)時(shí)間延長，進(jìn)而影響開關(guān)頻率。
MOS管與IGBT的多維度對比
結(jié)構(gòu)差異：MOS管是一種場效應(yīng)管，主要由柵極、漏極和源極構(gòu)成，其中柵極和漏極之間是一個(gè)P型或N型溝道。IGBT則由一個(gè)N型溝道和一個(gè)PNP結(jié)構(gòu)組成，具備門極、集電極和發(fā)射極，集電極和發(fā)射極之間是一個(gè)N型溝道。
工作原理不同：MOS管通過柵極電壓控制通道電阻，進(jìn)而調(diào)控漏極電流；而IGBT的控制極（門極）主要控制N型溝道的導(dǎo)電性質(zhì)，從而調(diào)節(jié)集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電阻，以控制集電極電流。
導(dǎo)通電阻對比：IGBT的導(dǎo)通電阻通常小于MOS管，因此在高壓、大電流應(yīng)用場景中更為常見。同時(shí)，在導(dǎo)通電阻較小的情況下，IGBT依然能夠保持較高的開關(guān)速度，在高頻開關(guān)應(yīng)用中也占據(jù)重要地位。
驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜度差異：鑒于IGBT的電壓和電流極值較大，為了確保其可靠性和穩(wěn)定性，需要相對復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路。相比之下，MOS管的驅(qū)動(dòng)電路則較為簡單。
成本考量：通常情況下，MOS管的成本低于IGBT，這主要?dú)w因于MOS管的制造工藝更為成熟，而IGBT的制造工藝和材料成本相對較高。
應(yīng)用場景的精準(zhǔn)適配
MOSFET在高頻領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，其能夠適應(yīng)的工作頻率范圍較廣，從幾百kHz到上MHz不等。然而，其導(dǎo)通電阻較大，在高壓大電流場合下功耗相對較高。而IGBT在低頻以及較大功率場合下表現(xiàn)出色，具備較小的導(dǎo)通電阻和高耐壓特性。基于這些特性差異，MOSFET主要應(yīng)用于開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域；IGBT則在焊機(jī)、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域大放異彩，為不同功率和頻率需求的電路系統(tǒng)提供關(guān)鍵支持。
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