在設計MOS管開關(guān)電路時，就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱們來詳細說明。
MOS管的工作區(qū)域
MOS管有三個工作區(qū)域：
截止區(qū)域
線性（歐姆）區(qū)域
飽和區(qū)域
當 VGS < VTH時，MOS管工作在截止區(qū)域。在該區(qū)域中，MOS管處于關(guān)斷狀態(tài)，因為在漏極和源極之間沒有感應溝道。
對于要感應的溝道和MOS管在線性或飽和區(qū)工作，VGS > VTH。
柵極 - 漏極偏置電壓 VGD將決定MOS管是處于線性區(qū)還是飽和區(qū)。在這兩個區(qū)域中，MOS管處于導通狀態(tài)，但差異在線性區(qū)域，溝道是連續(xù)的，漏極電流與溝道電阻成正比。進入飽和區(qū)，當 VDS > VGS – VTH時，通道夾斷，即它變寬導致恒定的漏極電流。
電子開關(guān)
半導體開關(guān)是電子電路中的重要方面之一。像 BJT 或MOS管 之類的半導體器件通常作為開關(guān)操作，即它們要么處于 ON 狀態(tài)，要么處于 OFF 狀態(tài)。
理想的開關(guān)特性
對于像MOS管這樣的半導體器件，要充當理想的開關(guān)，它必須具有以下特性：
在 ON 狀態(tài)下，它可以承載的電流量不應有任何限制。
在關(guān)閉狀態(tài)下，阻斷電壓不應有任何限制。
當器件處于 ON 狀態(tài)時，應有零壓降。
關(guān)態(tài)電阻應該是無限大的。
設備的運行速度沒有限制。
理想的開關(guān)特性圖
實用開關(guān)特性
但半導體開關(guān)并不是我們想的那么理想。在實際情況中，像MOS管這樣的半導體器件具有以下特性。
在開啟狀態(tài)期間，功率處理能力是有限的，即有限的傳導電流。關(guān)斷狀態(tài)期間的阻斷電壓也受到限制。
有限的開啟和關(guān)閉時間，這限制了開關(guān)速度。最大工作頻率也受到限制。
當器件開啟時，將存在一個有限的導通狀態(tài)電阻，從而導致正向壓降。還會有一個有限的關(guān)閉狀態(tài)電阻，這會導致反向漏電流。
實際的開關(guān)在開啟狀態(tài)、關(guān)閉狀態(tài)以及過渡狀態(tài)（從開啟到關(guān)閉或從關(guān)閉到開啟）期間都會經(jīng)歷斷電。
實用開關(guān)特性圖
MOS開關(guān)電路實例1
在下圖所示的電路中，增強型 N 溝道MOS管用于切換簡單的燈“ON”和“OFF”（也可以是 LED）。
柵極輸入電壓VGS被帶到適當?shù)恼妷弘娖揭源蜷_器件，因此燈負載要么“打開”，（VGS= +ve），要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平，（VGS = 0V）。
如果燈的電阻負載要由電感負載（如線圈、螺線管或繼電器）代替，則需要與負載并聯(lián)一個“續(xù)流二極管”，以保護MOS管免受任何自生反電動勢的影響。
MOS開關(guān)電路
上面顯示了一個非常簡單的電路，用于切換電阻負載，例如燈或 LED。但是，當使用功率MOS管切換感性或容性負載時，需要某種形式的保護來防止MOS管器件受損。驅(qū)動感性負載與驅(qū)動容性負載的效果相反。
例如，沒有電荷的電容是短路的，導致高“涌入”電流，當我們從感性負載上移除電壓時，隨著磁場崩潰，我們會產(chǎn)生很大的反向電壓，從而導致感應繞組中的感應反電動勢。
MOS開關(guān)電路功耗計算
我們假設燈的額定電壓為 6v、24W 并且完全“開啟”，標準MOS管的通道導通電阻 ( RDS(on) ) 值為 0.1ohms。計算MOS管開關(guān)器件的功耗。
流過燈的電流計算如下：
MOS開關(guān)電路電流計算公式
那么MOS管中消耗的功率將為：
MOS管開關(guān)電路功耗計算公式
P溝道MOS管開關(guān)電路實例
在上圖我們將 N 溝道 MOS管視為開關(guān)，MOS管放置在負載和地之間。這也允許 MOS管的柵極驅(qū)動或開關(guān)信號以地為參考（低側(cè)開關(guān)）。但在某些應用中，如果負載直接接地，我們需要使用 P 溝道增強型 MOS管。如下圖所示。
P溝道MOS管開關(guān)電路
在這種情況下，MOS管開關(guān)連接在負載和正電源軌（高端開關(guān)）之間，就像我們使用 PNP 晶體管一樣。
在 P 溝道器件中，漏極電流的常規(guī)流動方向為負方向，因此施加負柵源電壓以將晶體管“導通”。
這是因為 P 溝道MOS管是“倒置”的，其源極端子連接到正電源+VDD。然后，當開關(guān)變?yōu)榈碗娖綍r，MOS管變?yōu)?ldquo;ON”，當開關(guān)變?yōu)楦唠娖綍r，MOS管變?yōu)?ldquo;OFF”。
P 溝道增強型MOS管開關(guān)的這種倒置連接允許我們將其與 N 溝道增強型 MOS管串聯(lián)連接，以產(chǎn)生互補或 CMOS 開關(guān)器件，如上圖所示為跨雙電源。
MOS開關(guān)電路實例2
了解了MOS管的工作原理及其工作區(qū)域，就很容易知道MOS管是如何作為開關(guān)工作的。通過考慮一個簡單的示例電路，將了解 MOS管作為開關(guān)的操作。
MOS開關(guān)電路圖
這是一個簡單的電路，其中 N 溝道增強模式MOS管將打開或關(guān)閉燈。為了將MOS管用作開關(guān)，它必須工作在截止和線性（或三極管）區(qū)域。
假設設備最初是關(guān)閉的。柵極和源極之間的電壓，即 VGS適當?shù)卦O為正值（從技術(shù)上講，VGS > VTH），MOSFET 進入線性區(qū)域并且開關(guān)導通。這使燈打開。
如果輸入柵極電壓為 0V（或技術(shù)上 < VTH），則MOS管進入截止狀態(tài)并關(guān)閉。這反過來會使燈關(guān)閉。
MOS開關(guān)電路實例3
考慮一種情況，如果你想使用微控制器對 12W LED (12V @ 1A) 進行數(shù)字控制。當你按下連接到微控制器的按鈕時，LED 應打開。當你再次按下相同的按鈕時，LED 應熄滅。
很明顯，你不能在微控制器的幫助下直接控制 LED。這個時候你就需要一種設備來彌合微控制器和 LED 之間的差距。
該設備應從微控制器接收控制信號（通常該信號的電壓在微控制器的工作電壓范圍內(nèi)，例如 5V）并為 LED 供電，在這種情況下來自 12V 電源。
而這個設備是MOS管，上述場景的設置如下電路所示。
MOS開關(guān)電路圖
當邏輯 1（假設為 5V 微控制器，邏輯 1 為 5V，邏輯 0 為 0V）提供給MOS管的柵極時，它打開并允許漏極電流流動。結(jié)果，LED 亮起。
類似地，當 MOS管的柵極為邏輯 0 時，它會關(guān)閉，進而關(guān)閉 LED。
因此，你可以通過微控制器和MOS管的組合對大功率設備進行數(shù)字控制。
MOS管開關(guān)電路需要注意的因素---MOS管的功耗
需要考慮的一個重要因素是MOS管的功耗?？紤]一個漏源電阻為 0.1Ω 的MOS管。在上述情況下，即由 12V 電源驅(qū)動的 12W LED 將導致 1A 的漏極電流。
因此，MOS管消耗的功率為 P = I 2 * R = 1 * 0.1 = 0.1W。
這看起來是一個比較低的值，但如果你使用相同的 MOS管驅(qū)動電機，情況會略有不同。電機的啟動電流（也稱為浪涌電流）會非常高。
MOS管驅(qū)動電路圖
因此，即使 RDS 為 0.1Ω，電機啟動期間消耗的功率仍會非常高，這可能會導致熱過載。因此，RDS將是你的應用選擇 MOS管的關(guān)鍵參數(shù)。
此外，在驅(qū)動電機時，反電動勢是設計電路時必須考慮的重要因素。
使用MOS管驅(qū)動電機的主要優(yōu)點之一是輸入 PWM 信號可用于平滑控制電機的速度。
MOS開關(guān)電路實例4
下圖顯示了一個使用 n 溝道增強型MOS管作為開關(guān)的簡單電路。此處，MOS管的漏極端子 (D)通過漏極電阻RD連接到電源電壓 VS ，而其源極端子 (S) 接地。此外，它在其柵極端子 (G) 處施加輸入電壓Vi ，而輸出 Vo從其漏極汲取。
MOS開關(guān)電路圖
現(xiàn)在考慮施加的Vi為 0V 的情況，這意味著MOS管的柵極端子未偏置。因此，MOS管將關(guān)閉并在其截止區(qū)域中工作，在該區(qū)域中，它為電流提供了一個高阻抗路徑，這使得 IDS幾乎等于零。
結(jié)果，即使RD上的電壓降也將變?yōu)榱?，因此輸出電壓Vo將變得幾乎等于VS。接下來，考慮施加的輸入電壓Vi大于器件的閾值電壓VT的情況。在這種情況下，MOS管將開始導通.
如果 V提供的S大于器件的夾斷電壓 VP（通常會如此），則MOS管開始在其飽和區(qū)工作。這進一步意味著該器件將為恒定 IDS的流動提供低電阻路徑，幾乎就像短路一樣。結(jié)果，輸出電壓將被拉向低電壓電平，理想情況下為零。
從上面的分析可以看出，輸出電壓在 VS和零之間變化，這取決于所提供的輸入分別是小于還是大于 VT。因此，可以得出結(jié)論，當使MOS管s在截止和飽和工作區(qū)域之間工作時，可以使MOS管起電子開關(guān)的作用。
n 溝道耗盡型 MOS管開關(guān)電路
與 n 溝道增強型MOS管的情況類似，n 溝道耗盡型 MOS管也可用于執(zhí)行開關(guān)動作，如下圖所示。這種電路的行為與上面的解釋幾乎相同，除了事實上，對于截止，柵極電壓 VG需要設為負值，并且應小于 -V。
n 溝道耗盡型 MOS管開關(guān)電路圖
p 溝道增強型MOS管開關(guān)電路
下圖顯示了將 p 溝道增強型MOS管用作開關(guān)的情況。這里可以看出，電源電壓 VS施加在其源極端子 (S) 上，柵極端子提供輸入電壓 Vi，而漏極端子通過電阻RD接地。
p 溝道增強型MOS管開關(guān)電路圖
此外，從MOS管的漏極端子通過RD獲得電路Vo的輸出。在 p 型器件的情況下，傳導電流將來自空穴，因此會從源極流向漏極 ISD，而不是從漏極流向源極（IDS) 與 n 型器件一樣。
現(xiàn)在，讓我們假設只有MOS管的柵極電壓 VG的輸入電壓變低。這會導致MOS管開啟并為電流提供低（幾乎可以忽略不計）電阻路徑。
結(jié)果，大電流流過器件，導致電阻 RD上的電壓降很大。這反過來導致輸出幾乎等于電源電壓VS 。接下來，考慮Vi變高的情況，即當Vi將大于器件的閾值電壓（這些器件的 VT將為負值）。在這種情況下MOS管將關(guān)閉并為電流提供高阻抗路徑。這導致幾乎為零的電流導致輸出端子處的電壓幾乎為零。
p 溝道耗盡型MOS管開關(guān)電路
與此類似， p 溝道耗盡型MOS管也可用于執(zhí)行開關(guān)動作，如下圖所示。該電路的工作原理與上述電路幾乎相似，只是此處的截止區(qū)域為僅當 Vi = VG為正且超過器件的閾值電壓時才會出現(xiàn)。
p 溝道耗盡型MOS管開關(guān)電路圖
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