1）基本常識點：我們都知道MOS管的帶載能力與漏源電流和內阻有關，漏源電流越大，內阻越小，帶載能力越強。
2）MOS管導通后的等效電路如下：
MOSFET導通之后，近似如上圖的電阻Rds(on),vcc→Rds(on)→RL→GND;根據(jù)電阻分壓，電壓跟電阻成正比，所以內阻越小，分壓越小，而后端帶負載的電壓越高，負載的功率越大；同時MOS管的內阻越小，自身功耗也越低。若是內阻過大會導致管子的功耗過大，MOS管更易發(fā)熱，壽命更短。所以通常會選擇內阻較小的MOS管，帶載能力也更強。
3）MOS管的內阻Rds(on)的影響因素有哪些？
（1）MOS管的導通電阻會隨溫度的上升而上升，如下圖，MOS管的導通電阻在結溫130℃時比在20℃時高出兩倍多。
（2）一般驅動電壓越高，實際導通電阻越大，而且最大的導通的電路也越大，根據(jù)經驗一般選擇VGS=12V比較合適，如下圖：
4）增強管子的負載能力的方案
除了選擇本身漏源電流比較大的MOS管之外，可以采用多個MOS管并聯(lián)的方式，并聯(lián)時，各個MOS管的內阻也是并聯(lián)的，并聯(lián)之后的內阻就減小，可以驅動更大的負載。一般來說大功率功放選擇MOSFET管，因其內阻更小；如果負載內阻小了，那么如果放大器的輸出阻抗不變的話，放大器的末級管子分的電壓比例就會上升，所以現(xiàn)在的音響都選擇有低內阻的MOS管，才得以向小阻抗的負載發(fā)展，以得到更好的動態(tài)效果。
5）MOS管的VGS閾值電壓
一般我們看手冊上參數(shù)來選擇合適的MOS管：
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