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電壓檢測(cè)電路,24V低壓檢測(cè)電路介紹
2023-02-03
電壓檢測(cè)電路,24V低壓檢測(cè)電路介紹24V低壓檢測(cè)電路當(dāng)電壓采樣速率低和要求低時(shí)，左邊電路圖即可滿足；當(dāng)采樣速率和精度要求比較高時(shí)，采用
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電路設(shè)計(jì),低電壓控制高電壓解析
2023-02-03
電路設(shè)計(jì),低電壓控制高電壓解析行業(yè)規(guī)定安全電壓為不高于36V，持續(xù)接觸安全電壓為24V，安全電流為10mA，所以在各種電子產(chǎn)品中都有隔離控制
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過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Veff/Vod的詳解
2023-02-03
過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Veff Vod的詳解過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Veff Vod定義Veff=VGS-VTH，表示過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓。表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實(shí)是一個(gè)變值，會(huì)隨VGS電壓
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過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)電路失配有什么影響
2023-02-02
過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)電路失配有什么影響運(yùn)放失配設(shè)計(jì)圖1 電阻負(fù)載運(yùn)放根據(jù)拉扎維《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》中14 2 1節(jié)的推導(dǎo)，電阻負(fù)載的運(yùn)放的直
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PMOS,NMOS的電流方向與工作區(qū)解析
2023-02-02
PMOS,NMOS的電流方向與工作區(qū)解析首先討論電流的參考方向，從結(jié)論直觀來(lái)看電流的參考方向定義為箭頭的方向(即對(duì)于兩種管子，電流的正方向都
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開(kāi)關(guān)電源的損耗改善方法圖文介紹
2023-02-02
開(kāi)關(guān)電源的損耗改善方法圖文介紹開(kāi)關(guān)損耗的改善輸入部分損耗1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感，包括線徑和匝數(shù)2
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MOS管參數(shù),MOS管散熱,功率,電流參數(shù)介紹
2023-02-01
MOS管參數(shù),MOS管散熱,功率,電流參數(shù)介紹MOS管有如下參數(shù)：Operating Junction ：Tmin-Tmax。Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc
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模電分享,電壓源與電流源的轉(zhuǎn)換介紹
2023-02-01
模電分享,電壓源與電流源的轉(zhuǎn)換介紹電壓源可以等效轉(zhuǎn)換為一個(gè)理想的電流源IS和一個(gè)電阻RS的并聯(lián)。電流源可以等效轉(zhuǎn)換為一個(gè)理想電壓源US和
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電流,電壓,電阻,功率關(guān)系解析
2023-02-01
電流,電壓,電阻,功率關(guān)系解析電流、電壓、電阻、功率是電子電路中的重要技術(shù)參數(shù)，相關(guān)參量都可以根據(jù)其基本原理計(jì)算得出。本文主要對(duì)電流
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電路設(shè)計(jì),MOS管參數(shù)計(jì)算介紹
2023-01-31
電路設(shè)計(jì),MOS管參數(shù)計(jì)算介紹MOS管參數(shù)計(jì)算設(shè)計(jì)電路尺寸時(shí)，需要用到薩支唐公式，那么如何得到公式中的Vth和unCox呢？方法1：看工藝的model
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Cadence仿真,MOS管參數(shù)名稱詳解
2023-01-31
Cadence仿真,MOS管參數(shù)名稱詳解Cadence仿真中，MOS管的參數(shù)很多，有些參數(shù)可以直接添加到計(jì)算器中，進(jìn)行數(shù)據(jù)的計(jì)算。type：MOS管類型，可能
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Cadence仿真,NMOS管的漏端輸出電阻介紹
2023-01-31
Cadence仿真,NMOS管的漏端輸出電阻介紹NMOS管的漏端輸出電阻nmos管的輸出電阻可以將柵端接地，在漏端加一個(gè)直流電壓，測(cè)量Id ，然后作兩者