您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏烜芯微
- 手機訪問
掃一掃訪問手機網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
-
平面MOSFET和超級結(jié)MOSFET的區(qū)別
2023-04-20
平面MOSFET和超級結(jié)MOSFET的區(qū)別功率晶體管近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。下圖表示處理各功率晶體
-
平面MOSFET與超級結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)區(qū)別
2023-04-20
平面MOSFET與超級結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)區(qū)別基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更
-
功率器件結(jié)溫與殼頂溫度差異解析
2023-04-19
功率器件結(jié)溫與殼頂溫度差異解析開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器通常會使用功率器件，在設(shè)計過程中要測量功率MOSFET或IGBT結(jié)溫，
-
PCB設(shè)計,提高超級結(jié)MOSFET的性能介紹
2023-04-19
PCB設(shè)計,提高超級結(jié)MOSFET的性能介紹與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。導通電阻的顯著降低和寄生電容
-
怎么確定MOSFET所需最小散熱器尺寸
2023-04-19
怎么確定MOSFET所需最小散熱器尺寸假定設(shè)計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮到結(jié)到外殼還存在溫差，那
-
關(guān)于MOSFET和散熱器的圖文解析
2023-04-18
關(guān)于MOSFET和散熱器的圖文解析功率MOSFET、功率BJT和功率二極管等功率器件，散熱器對于提供散熱非常重要。從名稱本身來看，它將吸收功率器
-
計算元器件的結(jié)溫及熱阻值的解析
2023-04-18
計算元器件的結(jié)溫及熱阻值的解析θJA是熱阻的單位，用來表示空氣到結(jié)溫的阻值，單位是℃ W或Ｋ W。做電路設(shè)計都需要用到以下的公式來
-
MOS管熱阻,輸入輸出電容,開關(guān)時間解析
2023-04-18
MOS管熱阻,輸入輸出電容,開關(guān)時間解析打開一個MOS管的SPEC，會有很多電氣參數(shù)，本文分析一下熱阻、電容和開關(guān)時間。熱阻，英文Thermal res
-
PMOS設(shè)計反向電壓保護電路,原理介紹
2023-04-15
PMOS設(shè)計反向電壓保護電路,原理介紹直流系統(tǒng)中，比如汽車電子設(shè)計中，當電池接反時，使用電池作為電源的電路可能會損壞，所以一般需要反向
-
通過雙脈沖測試確認MOSFET損耗解析
2023-04-15
通過雙脈沖測試確認MOSFET損耗解析MOSFET體二極管的反向恢復特性與橋式電路損耗的關(guān)系在逆變器電路和Totem Pole型功率因數(shù)改善（PFC）電路
-
LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹
2023-04-15
LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹LED照明電路（臨界模式PFC＋DC DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實際LED照
-
開關(guān)損耗測試在電源調(diào)試中的重要作用介紹
2023-04-14
開關(guān)損耗測試在電源調(diào)試中的重要作用介紹MOSFET IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。開關(guān)電源(SMPS)技術(shù)依托電源半導體開關(guān)設(shè)