MOS管中的橫向BJT是一種重要的結構，能夠起到放大信號的作用，也被廣泛應用于邏輯電路中。對于MOS管中的橫向BJT來說，其基極電壓對于整個結構的性能有著至關重要的影響，那么這個電壓是怎么來的呢？本文將為您詳細講述。
MOS管中的橫向BJT結構
在深入探討橫向BJT的基極電壓之前，先來了解一下MOS管中的橫向BJT結構。MOS管是一種基本的半導體器件，其內部結構包括了柵極、源極、漏極等。在其中，橫向BJT的結構主要由N型增強型MOS管的漏極注入到P型襯底中形成的PNP型晶體管構成，這個PNP晶體管的集電極是P型襯底，發(fā)射極是漏極，而基極則是柵極。
當P型襯底中存在了一個懸浮的N型區(qū)域時，這個區(qū)域會形成NPN型晶體管，同時也會產生PNP型晶體管，如果將懸浮區(qū)域作為橫向BJT的基極，那么導通的條件就是基極電壓比發(fā)射極電壓低一個PN結的壓降（0.6 V或0.7 V）。由于橫向BJT的發(fā)射極漏極之間只有一層PN結，所以它的集電極到漏極的導通電阻比一般的二極管或PNP晶體管小很多。
而橫向BJT的射極感性負載會使它的放大倍數(shù)受到負載阻抗的影響，所以對于放大器電路來說，為了達到較高的放大倍數(shù)，需要選擇合適的負載阻抗。
橫向BJT的基極電壓
對于橫向BJT的基極電壓，這是由柵性質以及PN結管的特性決定的。當柵負壓極度較大時，柵極和懸浮區(qū)域之間的電場非常強，這會導致PN結的開關速度非常快，橫向BJT也會跟隨著開關速度加快。所以，對于N型MOS管中的橫向BJT來說，一般而言，當柵極電壓為0V時是閉合的，當柵極電壓為負值時，則處于開啟狀態(tài)，這是因為柵極和漏極之間的PN結已經(jīng)接近逆偏極限，形成了一個可控的電路，而因為懸浮區(qū)域的電荷被改變，從而發(fā)生了晶體管的注入。
此時如果在漏極與集電極之間加入一小的外部電壓的話，它就會觸發(fā)晶體管的開關消除，使橫向BJT進入飽和狀態(tài)。而在這個狀態(tài)下，PN結接近正向偏壓，從而基極到漏極的電壓將保持一個約為0.6-0.7V的恒定值。
因此，MOS管中的橫向BJT的基極電壓主要是來自柵極和PN結管的特性，在一定的柵電壓下，由于PN結管的特性，會產生一個約為0.6-0.7V的恒定電壓，這個電壓將作為橫向BJT的基極電壓，從而達到放大信號的作用。
橫向BJT的基極電壓對性能的影響
MOS管中的橫向BJT的基極電壓對性能有著重要的影響。首先，基極電壓的正確選擇是確保放大器正常工作的關鍵。“電荷注入”效應是橫向BJT中非常重要的一種現(xiàn)象。由于橫向BJT中PN結的存在，當漏極電壓足夠高時，柵極源極之間的一個漏道就形成了一個PNP型的晶體管，從而導致橫向BJT進入飽和狀態(tài)。
而如果橫向BJT中的基極電壓不正確，那么可能會引起“飽和電壓暴漲”現(xiàn)象。簡單的來說，就是在飽和區(qū)時，因為基極電壓沒有達到某種特定的值，導致集電極電壓和漏極電壓之間的差異變得非常大，從而使橫向BJT的放大倍數(shù)非常低。甚至在一些情況下，如果基極電壓偏高，那么整個橫向BJT甚至會進入不穩(wěn)定狀態(tài)，從而導致整個MOS管失效。
其次，基極電壓的不正確選擇會導致橫向BJT中的漏極-集電極串聯(lián)不穩(wěn)定。如果基極電壓偏高，那么漏極-集電極串聯(lián)的電壓就會下降，導致橫向BJT的放大倍數(shù)減小，進而導致整個MOS管的性能下降。而如果基極電壓偏低，那么漏極-集電極串聯(lián)的電壓就會升高，導致整個MOS管的利用壽命降低。
結論
MOS管中的橫向BJT是一種非常重要的結構，能夠起到放大信號的作用，同時也被廣泛應用于邏輯電路中。橫向BJT的基極電壓主要是來自柵極和PN結管的特性，在一定的柵電壓下，由于PN結管的特性，會產生約為0.6-0.7V的恒定電壓，這個電壓將作為橫向BJT的基極電壓，從而達到放大信號的作用。同時，橫向BJT的基極電壓對于整個結構的性能有著至關重要的影響，正確的選擇也是整個電路正常工作的保證。
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