10G10,10G10場效應(yīng)管參數(shù),N+P場效應(yīng)管10G10,10G10代換
10G10場效應(yīng)管,N+PMOS管10G10參數(shù)資料,10G10引腳圖,10G10中文資料規(guī)格書PDF
10G10場效應(yīng)管,N+PMOS管10G10參數(shù)資料,10G10引腳圖,10G10中文資料規(guī)格書PDF
10G10/SOP-8/SOIC-8封裝參數(shù)：點擊查看
10G10場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN+PNP
NPN極參數(shù)如下:
NPN極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：10A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：2.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=5A,VGS=10V： Typ 70mΩ Max 90mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=3A,VGS=4.5V：Typ 75mΩ Max 105mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
PNP極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-5A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：2.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=-3A,VGS=-10V： Typ 180mΩ Max 220mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=-2A,VGS=-4.5V：Typ 210mΩ Max 255mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
10G10場效應(yīng)管SOP-8/SOIC-8封裝尺寸：
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027
QQ：709211280