驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通
1、米勒效應(yīng)引起的誤開(kāi)通
當(dāng) MOSFET 關(guān)斷，隨后對(duì)管導(dǎo)通時(shí)， Vds 電壓（漏極與源極之間所能施加的最大電壓值）快速上升產(chǎn)生高的 dv/dt（開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中漏極－源極電壓的變化率），從而在電容 Cgd （米勒電容）中產(chǎn)生位移電流( igd)。
這個(gè)位移電流流經(jīng)Rg，M2后就會(huì)在Vg上產(chǎn)生一個(gè)電壓尖峰（Vspk)。如果這個(gè)電壓尖峰超過(guò)了MOSFET的開(kāi)通閾值，MOSFET就會(huì)被開(kāi)通，從而導(dǎo)致電路直通甚至損壞。
2、線(xiàn)路上的寄生電感引起
如圖所示，Ls是MOSFET源極上的寄生電感。當(dāng)MOSFET快速關(guān)斷時(shí)，電流（ids）迅速的減小產(chǎn)生較高的di/dt，從而在Ls的兩端產(chǎn)生一個(gè)負(fù)的電壓（VLS）。這個(gè)VLS電壓如果超過(guò)了MOSFET的門(mén)極閾值，MOSFET就會(huì)被誤開(kāi)通。
避免驅(qū)動(dòng)誤開(kāi)通的方法
1.門(mén)極電阻、電容法
調(diào)整門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻和電容
通過(guò)調(diào)節(jié)門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻和電容的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度：增大門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻和電容來(lái)減慢MOSFET開(kāi)通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門(mén)極電壓尖峰。
為了避免功率管的誤開(kāi)通，常用的方法是通過(guò)調(diào)整門(mén)極驅(qū)動(dòng)的電阻和電容。
2.米勒鉗位法
為了有效的抑制由于米勒效應(yīng)帶來(lái)的門(mén)極誤開(kāi)通，可以在靠近功率管的門(mén)極處放一個(gè)三極管來(lái)防止在關(guān)斷期間的誤開(kāi)通。
在關(guān)斷期間，由于Vds較高的dv/dt使Vg電壓升高，此時(shí)Q1會(huì)導(dǎo)通，從而將Vg電壓拉低防止誤開(kāi)通MOSFET。在實(shí)際的應(yīng)用中要注意PCB布線(xiàn)的影響，Q1要盡量的靠近功率MOSFET以減小Q1、MOSFET門(mén)極和源極之間的環(huán)路，從而降低整個(gè)環(huán)路路上的阻抗。
3.負(fù)壓驅(qū)動(dòng)法
米勒鉗位電路能夠有效的抑制由于米勒效應(yīng)引起的門(mén)極電壓尖峰，但是對(duì)于由于寄生電感引起的誤開(kāi)通，米勒鉗位電路有時(shí)就不是非常的有效，此時(shí)給驅(qū)動(dòng)提供負(fù)電壓是一個(gè)比較好的解決辦法。
對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通，需要根據(jù)實(shí)際的情況進(jìn)行分析并加以解決。
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