1 BJT
BJT是Bipolar Junction Transistor的縮寫，也即是雙極性晶體管。從名字上看，BTJ就是有兩個PN結組成。BJT有兩種類型：NPN和PNP，其中NPN最常用，兩者的表示符號如下：
BJT是電流控制器件，下文以NPN為例，介紹BJT的放大原理。
1.1 三極管的工作原理
如下圖，我們可以把NPN看做是兩個背靠背的二極管相連。其中e區重摻雜，b區很薄，集電結比發射結大。在放大狀態下，be正偏，e區的電子穿過發射結流向b區。由于b區很薄，只能接受一小部分電子，形成電流Ibn。另一大部分電子穿過b區，直接到達發射結，并在反偏電壓作用下到達c區，形成電流Icn，Icn/Ibn=β，這個值很大，這就是三極管放大原理的精髓所在。
上文中最關鍵的一句話已經加粗，可以這么來理解。集電結反偏時，電流很小，因為反偏電壓擴大了“內建電場”使PN結的活躍“多子”變少，反偏的PN結導通電阻很大，幾乎沒有電流，僅有的一部分也是“少子漂移”，這部分電流叫“漏電流”。從e區送過來的電子，正好彌補了集電結缺少“多子”的問題，這部分電子迅速穿過了集電結，形成電流Icn。這可以理解為e區提供的電子，使發射結的漏電流急劇增大。
所以說，NPN的集電結只需要一點點反偏電壓，甚至零偏，e區送過來的電子都可以迅速穿過發射結的內建電場，因此Ib電流一定時，不管Uce電壓有多大，Ic的電流變化都很小。下圖是三極管的工作曲線，放大區的曲線正好說明了這種情況。
1.2 什么是放大區
e結正偏，c結反偏，Ic=β*Ib，上文已經詳細解釋了放大原理。放大區Ube肯定等于0.7V或0.3V，Uce大于0.7或0.3V。
1.3 什么是截止區
e結和c結都反偏，來自e區電子非常少，都是pA級別，但所有的都送到c結，形成Icn。實際使用過程中，可以認為Ib＜0開始，三極管進入截止區。這個截止主要是針對e結反偏截止來說的。
1.4 什么是飽和區
e結和c結都正偏，此時來自e區的電子，不太容易被c結吸收，導致這些電子只能從b極走，這種是進入了飽和狀態。當e結正偏c結零偏時，為臨界飽和，其實此時三極管仍在放大狀態，c結還是吸收了來自e區的電子（因為零偏時還有內建勢壘區），只是從此點以后，c結慢慢變為正偏，縱使Ib電流再大，e結也不會吸收更多的電流。因此在飽和狀態下，Ib增大1mA，Ie也跟著增大1mA，Ic保持不變，因為c結已經達到了最大的電流吸收能力，不能在吸收了，飽和了。所以叫飽和區。
在飽和區，Ic/Ib＜β，并且Uce肯定等于0.7或0.3V。
注意Ube大于0.7V和Ubc大于0.7V的狀態，是三極管的異常工作狀態，管子會燒毀！
2 FET
FET是電壓控制型器件，輸入阻抗高，噪聲小，FET分類如下：
2.1 J-FET
N-FET，Ugs≥0，DS導通，Ugs足夠負，DS關斷；
2.2 MOSFET
2.2.1 N/P溝道耗盡型
N溝：Ugs=某一負值，id=0；Ugs從某一負值增加時，id增大。
2.2.2 N/P夠到增強型
N溝：Ugs正電壓越大，id越大；Ugs=0時，id=0；我們最常用的就是增強型的NMOS和PMOS。
增強型NMOS的導通原理如下：
當給GS施加正向電壓時，如右圖，在G下方的P襯底表面聚集較多的電子，同時也形成了一個耗盡區（紅色部分，勢壘區），耗盡區之上聚集了很多電子，形成了一個導電溝道（由于電子與P襯底的多子極性相反，因此這一層又叫反型層）。NMOS就是通過這個溝道導通的，正向電壓越大，溝道越寬，阻抗越小，通流能力越強。
關于MOSFET的符號，記憶方法如下：
不管是NMOS還是PMOS，S和中間的線都是連在一起的，箭頭往內的是NMOS，往外的是PMOS。寄生二極管的方向與箭頭方向順時針轉90度后相同。
注意，MOS管道在滿足導通的條件下，電流的流向不僅限于D到S，還可以S到D，是沒有方向的。
關于NMOS和PMOS的使用方法，見文章《原創 PMOS做信號開關NMOS做電平轉換》。
2.3 CMOS工藝的IO結構
注意，這是一個推完輸出結構，由上面的PMOS+下面的NMOS組成。
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