在選擇與 3.3V 單片機配合使用的外部 N 溝道MOSFET 時，一定要小心。MOSFET 柵極閾值電壓表明了器件完全飽和的能力。對于 3.3V 應(yīng)用，所選 MOSFET 的額定導(dǎo)通電阻應(yīng)針對 3V 或更小的柵極驅(qū)動電壓。例如，對于具有 3.3V 驅(qū)動的100 mA負(fù)載，額定漏極電流為250 μA的FET在柵極 - 源極施加 1V 電壓時，不一定能提供滿意的結(jié)果。在從 5V 轉(zhuǎn)換到 3V 技術(shù)時，應(yīng)仔細檢查柵極- 源極閾值和導(dǎo)通電阻特性參數(shù)，如圖 1所示。稍微減少柵極驅(qū)動電壓，可以顯著減小漏電流。
對于 MOSFET，低閾值器件較為常見，其漏－源電壓額定值低于 30V。漏－源額定電壓大于 30V的 MOSFET，通常具有更高的閾值電壓 （VT）。
如表 1 所示，此 30V N 溝道 MOSFET 開關(guān)的閾值電壓是 0.6V。柵極施加 2.8V 的電壓時，此MOSFET 的額定電阻是 35 mΩ，因此，它非常適用于 3.3V 應(yīng)用。
對于 IRF7201 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)范，柵極閾值電壓最小值規(guī)定為 1.0V。這并不意味著器件可以用來在1.0V 柵 - 源電壓時開關(guān)電流，因為對于低于 4.5V 的VGS （th），沒有說明規(guī)范。對于需要低開關(guān)電阻的 3.3V 驅(qū)動的應(yīng)用，不建議使用 IRF7201，但它可以用于 5V 驅(qū)動應(yīng)用。
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