場效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動電路是有本質(zhì)上的區(qū)別，首先場效應(yīng)管通常分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管，可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅（可控硅也叫晶閘管，可分單向晶閘管和雙向晶閘管），其中絕緣柵型場效應(yīng)管也叫MOS管（有一種場效應(yīng)管、三極管混合的器件叫IGBT俗稱門控管，該器件的驅(qū)動電路與場效應(yīng)管的驅(qū)動電路幾乎一樣），這種驅(qū)動屬于電壓驅(qū)動，在大多應(yīng)用在功率輸出、電力變換等場合，要求最好采用PWM（脈寬調(diào)制）信號來控制，其輸入到柵極的方波上升沿要求陡峭（也稱圖騰柱輸出），并且要有一定的瞬態(tài)驅(qū)動能力（因為場效應(yīng)管的柵極等效一個電容，當(dāng)驅(qū)動信號的瞬態(tài)功率不夠時，其原本的波形將被改變，通常等效為一個積分器），要求導(dǎo)通時，其柵極電壓要相對于源極高10-20V左右，典型值15V，而關(guān)斷時為了保證場效應(yīng)管關(guān)斷可靠，該電壓此時應(yīng)該為-15V，在實際應(yīng)用中為了減小場效應(yīng)管的功耗過大或防止其損壞一般要加如過流保護(hù)和相關(guān)吸收電路，并且盡量做到場效應(yīng)管的工作頻率與負(fù)載的諧振頻率相同，典型應(yīng)用就是電磁爐，流過爐盤（加熱線圈）的電流與流過吸收電容的電流各自雖然都很大，但相位不同，互相抵消，經(jīng)疊加后的總電流較小，即流過場效應(yīng)管（實際用IGBT）的電流較小。下圖為場效應(yīng)管的典型驅(qū)動電路：
而可控硅屬電流驅(qū)動，因為他等效于兩個三極管構(gòu)成正反饋放大，當(dāng)有一個觸發(fā)信號后，由于強大的正反饋作用，使之一直導(dǎo)通，當(dāng)柵極電壓高于陽極電壓或者陽極、陰極電壓差小于一定數(shù)值時正反饋才會失效，即可控硅被復(fù)位，一般情況下，其柵極電壓不會高于陽極，所以可控硅屬于不可關(guān)斷的半控器件，當(dāng)觸發(fā)導(dǎo)通時無法通過柵極關(guān)斷，而場效應(yīng)管屬全控器件可以通過柵極關(guān)斷。下圖為可控硅結(jié)構(gòu)及其典型驅(qū)動電路：
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