MOSFET類(lèi)型識(shí)別小結(jié)
1）P溝道與N溝道的識(shí)別。
MOS管識(shí)別，MOSFET在導(dǎo)通時(shí)，傳輸電流的層為P溝道的，則為P溝道MOSFET；傳輸電流的層為N溝道的，則為N溝道MOSFET。
從原理圖中看的話(huà)，可以看圖上中漏極源極下方所示的為N型硅還是P型硅。
從代表符號(hào)上來(lái)識(shí)別的話(huà)，則是可以看中間短線(xiàn)上的箭頭方向，向內(nèi)則為N溝道，向外則為P溝道。（想象PN結(jié)的指向，P在箭尾，N在箭頭，靠近短線(xiàn)的則表明其屬性）
2）耗盡型與增強(qiáng)型的識(shí)別。
由于MOSFET的導(dǎo)電能力就是在導(dǎo)電溝道形成的時(shí)候才具備的，形成溝道則認(rèn)為其導(dǎo)通，溝道消失則認(rèn)為其斷開(kāi)，溝道形成與斷開(kāi)均受VGS的控制。耗盡型MOSFET表示，其溝道在不加電壓Vgs的時(shí)候，是存在的，可以理解為常閉開(kāi)關(guān)。但是在滿(mǎn)足控制要求的電壓后，則為斷開(kāi)。Vgs的作用就是通過(guò)電壓，使溝道中的多子消散，從而使導(dǎo)電溝道中斷，電流無(wú)法流通，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。
加型MOSFET則表示，其溝道在不加電壓Vgs的時(shí)候，是不存在的，即理解為常開(kāi)開(kāi)關(guān)。但是在滿(mǎn)足控制要求的電壓后，則為閉合。Vgs的作用就是通過(guò)電壓，使溝道中的多子匯聚，從而形成導(dǎo)電溝道，電流可以流通，開(kāi)關(guān)閉合。從代表符號(hào)上識(shí)別的方法，則看中部與門(mén)極緊鄰的線(xiàn)為三條斷線(xiàn)還是一條長(zhǎng)線(xiàn)。三根斷線(xiàn)則表示溝道本來(lái)不存在，本來(lái)為斷開(kāi)，加Vgs后才可閉合，因此為增強(qiáng)型MOSFET，如圖1中的所示；一條長(zhǎng)線(xiàn)則表示，溝道本來(lái)就存在，可以導(dǎo)電，加Vgs后才斷開(kāi)，因此為耗盡型MOSFET，如圖2 中所示。
3）源極漏極的識(shí)別。
無(wú)論N溝道還是P溝道的MOSFET，符號(hào)中，與中間短線(xiàn)連在一起的為源極，另一極為漏極。
圖1 N溝道與P溝道MOSFET原理示意圖與對(duì)應(yīng)符號(hào)
圖2 耗盡型MOSFET原理圖及其代表符號(hào)
4）二者使用中的區(qū)別（僅針對(duì)增加型MOSFET）。
MOS管好壞的判別方法
對(duì)于NMOS管：
先把MOS管的G極和S極短接（用鑷子夾一下就行了），然后測(cè)量D極和S極的電阻。測(cè)試時(shí)電流從S極流到D極，即紅筆接S極，黑筆接D極，這個(gè)時(shí)候測(cè)出來(lái)的電阻和正常MOS管測(cè)出來(lái)的做對(duì)比，如果差太大，那肯定就是燒了。如果表筆接反了，正常的MOS管測(cè)出來(lái)的電阻是斷路。（二極管存在的緣故）如果MOS管過(guò)壓，一般會(huì)造成三端短路，功率電壓進(jìn)入G極，燒掉前面的柵極驅(qū)動(dòng)芯片。如果MOS管過(guò)流，則一般燒斷路。對(duì)于PMOS管，則相反，依據(jù)二極管的方向
a) N溝道MOSFET的電流流向?yàn)橛蒁-->S，P溝道的電流流向?yàn)镾-->D；
b) N溝道MOSFET要使N溝道中多子--電子匯聚，因此門(mén)極應(yīng)為正電壓，方可異性相吸，因此，Vgs為正電壓。具體閥值電壓請(qǐng)查看其datasheet。P溝道MOSFET要使P溝道中多子--空穴匯聚，因此門(mén)極應(yīng)為負(fù)電壓，方可異性相吸，因此，Vgs為負(fù)電壓。具體閥值電壓請(qǐng)查看其datasheet。
如何辨別MOS管的三個(gè)極：MOS管的三個(gè)極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通。
1.判斷柵極G
MOS管識(shí)別，MOS管驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間。
MOS管識(shí)別，將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大，并且交換表筆后仍為無(wú)限大，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因?yàn)闇y(cè)試前提不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
MOS管和IGBT管的辨別
帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管的識(shí)別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管它們的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對(duì)應(yīng)，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對(duì)應(yīng)，對(duì)它們的好壞判斷及及區(qū)分可以用動(dòng)靜態(tài)測(cè)量方法來(lái)完成。
靜態(tài)測(cè)量判斷MOS管和IGBT管的好壞
先將兩個(gè)管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與S極之間有個(gè)PN接，正向?qū)ǚ聪蚪刂梗谑怯蠷gd=Rgs=Rds=無(wú)窮大，Rsd=幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應(yīng)為無(wú)窮大，即Rgc=Rge=無(wú)窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在，因此具有單向?qū)щ姺聪蚪刂固匦裕碦ce=無(wú)窮大，Rec=幾千歐。從這里只能用萬(wàn)用表的電阻檔判斷出管子的好壞，卻區(qū)分不出是那種管子。測(cè)量得阻值很小，則說(shuō)明管子被擊穿，測(cè)量阻值很大，說(shuō)明管子內(nèi)部斷路。
動(dòng)態(tài)測(cè)量區(qū)分MOS管和IGBT管
先用萬(wàn)用表給管子的柵極施加電壓，是場(chǎng)效應(yīng)管建立起溝道，然后測(cè)量D、S及c、e之間的阻值，根據(jù)阻值的差異來(lái)區(qū)分MOS管和IGBT管。用萬(wàn)用表的電阻檔測(cè)量?jī)蓚€(gè)管子的D、S及c、e之間的電阻，由于場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)建立溝道，Rds=Rsd≈0，而Rce之間呈現(xiàn)電阻Rce，晶體三極管處于放大狀態(tài)的導(dǎo)通電阻，Rec為內(nèi)部阻尼二極管的導(dǎo)通電阻，兩者均為幾千歐。因此根據(jù)測(cè)量可知，兩個(gè)管子的導(dǎo)通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠(yuǎn)小于IGBT管c、e之間的電阻值，于是可以分辨出MOS與IGBT管。
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