本文將介紹的ZVS驅(qū)動器是-一種功率大、高效而且非常簡單的振蕩器。它通常被用于產(chǎn)生高頻正弦波的場合比如冷陰極LCD燈箱驅(qū)動器或者其他用途。這里有一個簡化版的ZVS。
當(dāng)電源電壓作用于V+，電流開始同時通過兩側(cè)的初級并施加到MOS的漏極(D)上。電壓會同時出現(xiàn)在MOS的門極(G)上并開始將MOS開啟。因?yàn)闆]有任何兩個元件是完全一樣的，一個MOS比另一個開的快一些，更多的電流將流過這個MOS。通過導(dǎo)通側(cè)初級繞組的電流將另一側(cè)MOS的門極電壓拉低并開始關(guān)斷它。圖中電容和初級的電感發(fā)生LC諧振并使電壓按正弦規(guī)律變化。如果沒有這個電容，通過MOS的電流會一直增大，直到變壓器飽和+MOS發(fā)生核爆炸......
假設(shè)Q1首先開啟。當(dāng)Z點(diǎn)電壓跟著LC諧振的半個周期上升到峰值再回掉時，Y點(diǎn)電壓會接近0。隨著Z點(diǎn)電壓下降到0，Q1的門極(G)電壓消失，Q1關(guān)閉。同時Q2開啟，此時Y點(diǎn)電壓開始上升。Q2的導(dǎo)通把Z點(diǎn)電壓拉低到接近地，這可以確保Q1完全關(guān)斷。Q2完成LC振蕩的半周后會重復(fù)同樣的過程，此振蕩器繼續(xù)循環(huán)工作。為了防止本電路從電源拉取巨大的峰值電流而損壞，增加了L1在變壓器抽頭處和V+之間作為緩沖。LC阻抗限制著實(shí)際的電流(L1只是減少峰值電流，因?yàn)殡姼杏欣m(xù)流作用吧)。
如果你眼夠尖，會發(fā)現(xiàn)此振蕩器是一個零電壓開關(guān)電路(zero-voltage switching ZVS)，這意味著MOS將在其兩端電壓為零時關(guān)斷。這對MOS有好處，因?yàn)樗试SMOS在承受應(yīng)力比較低的時候進(jìn)行開關(guān)動作，這意味著不再需要像硬開關(guān)變換器那樣的巨大散熱器，甚至當(dāng)功率大到1KW時都可以這樣!(我覺得懸......畢竟MOS有導(dǎo)通電阻......誰的ZVS能上1KW?!反正我沒見過.....)
ZVS的振蕩頻率將由變壓器初級的電感和跨接在初級兩端的電容決定。可以用下列公式計(jì)算：
f = 1/2 * π * √(L * C)
f 頻率，單位Hz
L 初級的電感，單位H(注意不是uH!1H=1000000uH!)
C 諧振雕塑的容量，單位F(注意不是uF!1F=1000000uF)
真實(shí)的MOS比較脆弱(汗= = 深有體會)，如果門極(G)和源極(S)之間的電壓超過正負(fù)30V，MOS會損壞。為了防止這種事情發(fā)生，我們需要門極(G)的保護(hù)措施;只是簡單地增加幾個額外的元件。如下圖。
470歐電阻用來限制MOS門極(G)的電流，防止損壞。
10K電阻用于確保MOS可靠關(guān)斷。
穩(wěn)壓二極管將MOS的門極(G)的電壓限制在你選用的穩(wěn)壓二極管(12V、15V、18V)的擊穿電壓之內(nèi)。
當(dāng)一側(cè)MOS導(dǎo)通時，UF4007將另一側(cè)MOS的門極(G)電壓拉低
值得注意的是，我們改用+V為MOS供電，使它們開啟，并使用LC諧振部分通過快恢復(fù)二極管關(guān)斷它們。這提高了整體電路的性能。
下面的實(shí)物圖很好理解，我希望你喜歡：
因?yàn)長C震蕩時的電壓比輸入電壓高，所以你需要確認(rèn)你的MOS可以承受這個電壓。一個比較好的選擇MOS方式，MOS的耐壓要為4倍輸入電壓以上，IRFP250和更好的IRFP260很適合ZVS(我用IRF540也很好，但是輸入不要超過20V，IRFZ48、IRF3205等管耐壓過低不宜使用)。你需要為MOS添加散熱器，但是不用特大。記住在安裝散熱器時一定要加絕緣墊(TO247的IRFP250和IRFP260要加絕緣墊，TO220的IRF540除了絕緣墊還要加絕緣帽!)，因?yàn)镸OS的散熱器不是和引腳不是電學(xué)絕緣的(散熱片和漏極是通的，我想但凡搞電子的都知道吧、)。那個諧振電容一定要用好的，MKP電容，云母電容，Mylar電容(這個不認(rèn)識、、、)是很好的選擇(電磁爐電容最佳~~)，千萬不要用電解電容，會核爆炸的(嘿嘿 每人這么2吧)。兩個初級繞組必須要同方向繞制，否則不工作。如果變壓器沒氣息，同樣不會工作。(這、、、)
本文將介紹的ZVS驅(qū)動器是-一種功率大、高效而且非常簡單的振蕩器。它通常被用于產(chǎn)生高頻正弦波的場合比如冷陰極LCD燈箱驅(qū)動器或者其他用途。這里有一個簡化版的ZVS。
當(dāng)電源電壓作用于V+，電流開始同時通過兩側(cè)的初級并施加到MOS的漏極(D)上。電壓會同時出現(xiàn)在MOS的門極(G)上并開始將MOS開啟。因?yàn)闆]有任何兩個元件是完全一樣的，一個MOS比另一個開的快一些，更多的電流將流過這個MOS。通過導(dǎo)通側(cè)初級繞組的電流將另一側(cè)MOS的門極電壓拉低并開始關(guān)斷它。圖中電容和初級的電感發(fā)生LC諧振并使電壓按正弦規(guī)律變化。如果沒有這個電容，通過MOS的電流會一直增大，直到變壓器飽和+MOS發(fā)生核爆炸......
假設(shè)Q1首先開啟。當(dāng)Z點(diǎn)電壓跟著LC諧振的半個周期上升到峰值再回掉時，Y點(diǎn)電壓會接近0。隨著Z點(diǎn)電壓下降到0，Q1的門極(G)電壓消失，Q1關(guān)閉。同時Q2開啟，此時Y點(diǎn)電壓開始上升。Q2的導(dǎo)通把Z點(diǎn)電壓拉低到接近地，這可以確保Q1完全關(guān)斷。Q2完成LC振蕩的半周后會重復(fù)同樣的過程，此振蕩器繼續(xù)循環(huán)工作。為了防止本電路從電源拉取巨大的峰值電流而損壞，增加了L1在變壓器抽頭處和V+之間作為緩沖。LC阻抗限制著實(shí)際的電流(L1只是減少峰值電流，因?yàn)殡姼杏欣m(xù)流作用吧)。
如果你眼夠尖，會發(fā)現(xiàn)此振蕩器是一個零電壓開關(guān)電路(zero-voltage switching ZVS)，這意味著MOS將在其兩端電壓為零時關(guān)斷。這對MOS有好處，因?yàn)樗试SMOS在承受應(yīng)力比較低的時候進(jìn)行開關(guān)動作，這意味著不再需要像硬開關(guān)變換器那樣的巨大散熱器，甚至當(dāng)功率大到1KW時都可以這樣!(我覺得懸......畢竟MOS有導(dǎo)通電阻......誰的ZVS能上1KW?!反正我沒見過.....)
ZVS的振蕩頻率將由變壓器初級的電感和跨接在初級兩端的電容決定。可以用下列公式計(jì)算：
f = 1/2 * π * √(L * C)
f 頻率，單位Hz
L 初級的電感，單位H(注意不是uH!1H=1000000uH!)
C 諧振雕塑的容量，單位F(注意不是uF!1F=1000000uF)
真實(shí)的MOS比較脆弱(汗= = 深有體會)，如果門極(G)和源極(S)之間的電壓超過正負(fù)30V，MOS會損壞。為了防止這種事情發(fā)生，我們需要門極(G)的保護(hù)措施;只是簡單地增加幾個額外的元件。如下圖。
470歐電阻用來限制MOS門極(G)的電流，防止損壞。
10K電阻用于確保MOS可靠關(guān)斷。
穩(wěn)壓二極管將MOS的門極(G)的電壓限制在你選用的穩(wěn)壓二極管(12V、15V、18V)的擊穿電壓之內(nèi)。
當(dāng)一側(cè)MOS導(dǎo)通時，UF4007將另一側(cè)MOS的門極(G)電壓拉低
值得注意的是，我們改用+V為MOS供電，使它們開啟，并使用LC諧振部分通過快恢復(fù)二極管關(guān)斷它們。這提高了整體電路的性能。
下面的實(shí)物圖很好理解，我希望你喜歡：
因?yàn)長C震蕩時的電壓比輸入電壓高，所以你需要確認(rèn)你的MOS可以承受這個電壓。一個比較好的選擇MOS方式，MOS的耐壓要為4倍輸入電壓以上，IRFP250和更好的IRFP260很適合ZVS(我用IRF540也很好，但是輸入不要超過20V，IRFZ48、IRF3205等管耐壓過低不宜使用)。你需要為MOS添加散熱器，但是不用特大。記住在安裝散熱器時一定要加絕緣墊(TO247的IRFP250和IRFP260要加絕緣墊，TO220的IRF540除了絕緣墊還要加絕緣帽!)，因?yàn)镸OS的散熱器不是和引腳不是電學(xué)絕緣的(散熱片和漏極是通的，我想但凡搞電子的都知道吧、)。那個諧振電容一定要用好的，MKP電容，云母電容，Mylar電容(這個不認(rèn)識、、、)是很好的選擇(電磁爐電容最佳~~)，千萬不要用電解電容，會核爆炸的(嘿嘿 每人這么2吧)。兩個初級繞組必須要同方向繞制，否則不工作。如果變壓器沒氣息，同樣不會工作。(這、、、)
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