在線性條件下，導通的耗散功率計算比較簡單，PD=I2R,或者PD=U2/R。在開關(guān)狀態(tài)下，計算相對比較復雜。1.如果是常通或常閉狀態(tài)下，用P=deltaU*I這個公式應(yīng)該沒問題。（常閉狀態(tài)下公式里用反向漏電流）
2.如果是處于開關(guān)狀態(tài)，除導通、關(guān)斷狀態(tài)的損耗外，還要考慮開關(guān)過程的損耗。（因為不是理想開關(guān)，并且是功率器件，所以過程的損耗往往是不能忽略的。但這部分損耗也很難準確的計算，和很多因素有關(guān)，例如電流大小、溫度、恢復時間等。）
二極管的耗散功率與允許的節(jié)溫有關(guān)，硅二極管允許的最大節(jié)溫是150℃，而鍺允許最大節(jié)溫85℃。半導體工作溫度是有限的，當實際的功率增大是，其節(jié)溫也將變大，當節(jié)溫達到150℃是，此時的功率就是最大的耗散功率。當然，耗散功率與封裝大小也有一定的關(guān)系，通常封裝大點的器件，其最大耗散功率也相對大點，最常見的就是大功率器件擁有大體積，大面積的散熱金屬面。
一個具體型號的二極管其耗散功率與測試條件有關(guān)，比如測試環(huán)境溫度和散熱條件。通常情況下，測試出來的最大耗散功率是在25℃下。隨著環(huán)境溫度的升高，其最大的耗散功率將減少，因為該條件下的導熱溫差變小，比如說在25℃下，某二極管耗散功率能達到1W，在75℃情況下，耗散功率可能變成0.4W。允許最大耗散功率與散熱條件有關(guān)，散熱條件越好，耗散功率越高，在同一環(huán)境溫度下，耗散功率為1W，加了散熱片之后，耗散功率可能變?yōu)?.7W。
表征散熱措施的一個參數(shù)是熱阻。熱阻反映阻止熱量傳遞能力的綜合參量。熱阻跟電子學里的電阻類似，都是反映“阻止能力”大小的參考量。熱阻越小，傳熱能力越強;反之，熱阻越大，傳熱能力越小。從類比的角度來看，熱量相當于電流，溫差相當于電壓，熱阻相當于電阻。其中，熱阻Rja：芯片的熱源結(jié)到周圍冷卻空氣的總熱阻，其單位是℃/W，表示在1W下，導熱兩端的溫差。
下面我們以肖特基二極管1N4448（快恢復二極管計算也是一樣的）為例。
1N4448HWS熱特性參數(shù)
從中可知，其耗散功率PD=200mW，熱阻為625℃/W，其中這兩個量是環(huán)境溫度25℃，焊在FR-4材質(zhì) PCB條件下測試的，如手冊說明Part mounted on FR-4 PC board with recommended layout 。
耗散功率與環(huán)境溫度有關(guān)，溫度越大，耗散功率越小，1N4448HWS耗散功率與環(huán)境溫度關(guān)系如下:
1N4448HWS耗散功率與環(huán)境溫度關(guān)系圖
在0～25℃是，耗散功率恒為200mW，在25～150℃時，線性遞減，到達150℃，耗散功率為0，在這個溫度，硅管已經(jīng)不能工作了。從這個表中，可以計算出熱阻，為625℃/W。根據(jù)這個表，可得PD=- 圖片7.jpg(TA-25)+0.2，(TA-≥25),根據(jù)這個公式，可計算出不同環(huán)境溫度下最大的耗散功率。
在設(shè)計過程中，人們更關(guān)注器件工作時的溫度，以確保在安全的工作范圍。以1N4448HWS為例，在環(huán)境溫度為25℃情況下，實際功率為100mW時，其溫度為25+625*0.1=87.5℃，其能正常工作;當實際功率為200mW時，其溫度為25+625*0.2=150℃，這時候已經(jīng)達到節(jié)溫的最大溫度了，比較危險，應(yīng)當避免。
二極管的傳熱方面，主要考慮PD和熱阻Rja，前者是最大耗散功率，實際工作不能超過這個數(shù)值，后者是傳熱阻力參量，放映不同二極管的傳熱能力。在使用二極管時，不但要考慮正向電流、反向耐壓和開關(guān)時間，還要多考慮耗散功率。
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