同樣的mos管功率器件，采用不同的驅動電路將得到不同的開關特性。采用性能良好的驅動電路能夠使功率開關器件工作在比擬理想的開關狀態， 同時縮短開關時間，減小開關損耗，對安裝的運轉效率，牢靠性和平安性都有重要的意義。因而驅動電路的優劣直接影響主電路的性能，驅動電路的合理化設計顯得越來越重要。晶閘管體積小，重量輕，效率高，壽命長，運用便當，能夠便當的停止整流和逆變，且能夠在不改動電路構造的前提下，改動整流或逆變電流的大小。IGBT 是 mosFET 和 GTR的復合器件，它具有開關速度快、熱穩定性好、驅動功率小和驅動電路簡單的特性，又具有通態壓降小、耐壓高和接受電流大等優點。IGBT作為主流的功率輸出器件， 特別是在大功率的場所，曾經被普遍的應用于各個范疇。
mos管開關器件理想的驅動電路應滿足以下請求：
(1)功率開關管開通時，驅動電路可以提供快速上升的基極電流，使得開啟時有足夠的驅動功率，從而減小開通損耗。
(2)開關管導通期間，mos驅動電路提供的基極電流在任何負載狀況下都能保證功率管處于飽和導通狀態，保證比擬低的導通損耗。為減小存儲時間，器件關斷前應處于臨界飽和狀態。
(3)關斷時，驅動電路應提供足夠的反向基極驅動，以疾速的抽出基區的剩余載流子，減小存儲時間; 并加反偏截止電壓，使集電極電流疾速降落以減小降落時間。當然，晶閘管的關斷主要還是靠反向陽極壓降來完成關斷的。
目前來說，關于晶閘管的驅動用的比擬多的只是經過變壓器或者光耦隔離來把低壓端與高壓端隔開，再經過轉換電路來驅動晶閘管的導通。而關于 IGBT來說目前用的較多的是 IGBT 的驅動模塊，也有集成了 IGBT、 系統自維護、 自診斷等各個功用模塊的 IPM。
本文針對我們所用到的晶閘管，設計實驗驅動電路，并停止實考證明了它能夠驅動晶閘管。而關于 IGBT的驅動，本文主要引見了目前主要的幾種 IGBT 的驅動方式，以及與它們相對應的驅動電路，并對最常用的光耦隔離的驅動方式停止了仿真實驗。
2.晶閘管驅動電路的研討 普通來說晶閘管的工作狀況是：
(1)晶閘管接受反向陽極電壓時，不管門極接受何種電壓，晶閘管都處于關斷狀態。
(2)晶閘管接受正向陽極電壓時，僅在門極接受正向電壓的狀況下晶閘管才導通。
(3)晶閘管在導通狀況下，只需有一定的正向陽極電壓，不管門極電壓如何，晶閘管堅持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。 (4)晶閘管在導通狀況下，當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時，晶閘管關斷。我們選用的是晶閘管是 TYN1025，它的耐壓是600 到 1000V，電流最大到達 25A。它所需求的門級驅動電壓是 10 到 20V，驅動電流是 4 到 40mA。而它的維持電流是 50mA，擎住電流是 90mA。無論是 DSP 還是 CPLD 所發出的觸發信號的幅值只要 5V。首先，先把只要 5V 的幅值轉換成 24V，然后經過一個 2：1 的隔離變壓器把 24V 的觸發信號轉換成 12V 的觸發信號，同時完成了上下壓隔離的功用。
實驗電路的設計與剖析
實驗設計總電路圖如下圖 1 所示首先是升壓電路，由于后級的隔離變壓器電路中的 MOS 管器件需求 15V 的觸發信號，所以，需求先把幅值 5V 的觸發信號轉成 15V 的觸發信號，經過 MC14504 把 5V 的信號， 轉換成為 15V的信號，然后再經過 CD4050 對輸出的 15V 驅動信號整形， 實驗的波形圖如圖 3 所示， 通道 2 接的是 5V 輸入信號，通道 1 接的是輸出的 15V 的觸發信號。
第二局部是隔離變壓器電路，實驗電路圖如圖 4所示，該電路的主要功用是：把 15V 的觸發信號，轉換成為 12V 的觸發信號去觸發后面的晶閘管的導通，并且做到 15V 的觸發信號與后級之距離。
該電路的工作原理是：由于 MOS 管 IRF640 的驅動電壓為 15V，所以，首先是在 J1 處接入 15V 的方波信號，經過電阻 R4 接穩壓管 1N4746，使觸發電壓穩定，也使得觸發電壓不至于過高，燒壞 MOS 管，然后接到 MOS 管 IRF640(其實這就是個開關管，控制后端的開通和關斷) ， MOS 管的工作圖如下圖 5， 經過控制驅動信號的占空比， 能夠控制 MOS 管的開通和關斷時間。當 MOS 管開通時，相當于它的 D 極接地，關斷時是斷開的，經過后級電路相當于接 24V。而變壓器就是經過電壓的變化來使右端輸出 12V 的信號。變壓器右端接一個整流橋，然后從接插件 X1 輸出 12V的信號。下圖 6 為該實驗電路的仿真波形圖，為了便當看清，我把 B 通道的正負引腳顛倒，測出圖中的電壓為負的，不過幅值是正確的。圖 7 是該電路的實驗波形圖，與仿真波形圖一樣。
實驗過程中遇到的問題
首先，開端上電時，保險絲忽然熔斷，后來查電路時發現最初的電路設計有問題。最初為了它的開關管輸出的效果更好，把24V的地和15V 的地隔開，這就使得MOS管的門極G極相當于后面的S極是懸空的，招致誤觸發。處理方法是把24V和15V的地接在一同，再次停止實驗，電路工作正常。電路銜接正常，但是當參加驅動信號時，MOS管發熱，加驅動信號一段時間后，保險絲熔斷，再加驅動信號時，保險絲直接熔斷。檢查電路發現，驅動信號的高電平占空比過大，招致MOS管的開通時間太長。這個電路的設計使得當MOS管開通時，24V直接加到MOS管的兩端，并沒有加限流電阻，假如導通時間過長就使得電流過大，MOS管損壞，需求調理信號 的占空比不能太大，普通在 10%~20%左右。
2.3 驅動電路的驗證
為了驗證驅動電路的可行性，我們用它來驅動串連在一同的晶閘管電路，實驗電路圖如下圖8所示，互相串聯的晶閘管再反并聯后，接入帶有感抗的電路中，電源是 380V 的交流電壓源。
在這個電路中，晶閘管Q2、Q8的觸發信號經過G11和G12接入，而Q5、Q11的觸發信號經過G21、G22接入。在驅動信號接到晶閘管門級之前，為了進步晶閘管的抗干擾才能，在晶閘管的門極銜接一個電阻和電容。這個電路接電感后，再投入到主電路中。經過控制晶閘管的導通角，來控制大電感投入到主電路的時間， 上下電路的觸發信號的相角相差半個周期，上路的 G11 和G12是一路的觸發信號，經過前級的驅動電路中的隔離變壓器互相隔離，下路的 G21 和 G22同樣也是隔離的同一路信號。 實驗波形圖如圖 9 所示，兩路的觸發信號觸發反并聯晶閘管電路正反導通，上面的 1 通道接的是整個晶閘管電路的電壓，在晶閘管導通時它變為 0，而 2、3 通道接的是晶閘管電路上下路的觸發信號，4 通道測得是流過整個晶閘管的電流。
2 通道測得有正向的觸發信號時，觸發上面的晶閘管導通，電流為正;3 通道測得有反向的觸發信號時，觸發下路的晶閘管導通，電流為負。
3.IGBT 驅動電路的研討IGBT 對驅動電路有許多特殊的請求，概括起來有：
(1)驅動電壓脈沖的上升率和降落率要充沛大。IGBT 開通時， 前沿峻峭的柵極電壓加到柵極 G 與發射極 E 之間，使其快速開通，到達開通時間最短，以減小開通損耗。在 IGBT 關斷的時分，其柵極驅動電路要提供應 IGBT 降落沿很陡的關斷電壓，并給IGBT 的柵極 G 與發射極 E 之間施加恰當的反向偏置電壓，以使 IGBT 快速關斷，縮短關斷時間，減小關斷損耗。
(2)IGBT 導通后，柵極驅動電路提供應 IGBT的驅動電壓和電流要有足夠的幅度，使 IGBT 的功率輸出總處于飽和狀態。瞬時過載時，柵極驅動電路提供的驅動功率要足以保證 IGBT 不退出飽和區而損壞。
（3) IGBT 的柵極驅動電路提供應 IGBT 的正驅動電壓要取適宜的值，特別是在有短路工作過程的設備中運用 IGBT 時，其正向驅動電壓更應選擇所需求的最小值。開關應用的 IGBT 的柵極電壓應以10V～15V 為最佳。
(4)IGBT 的關斷過程中，柵-射極間施加的負偏壓有利于 IGBT 的快速關斷，但也不宜取的過大，普通取-2V 到 -10V。
(5)在大電感負載的狀況下，過快的開關反而是有害的，大電感負載在 IGBT 的快速開通和關斷時，會產生高頻且幅值很高而寬度很窄的尖峰電壓 Ldi/dt，該尖峰不易吸收，容易形成器件損壞。
(6)由于 IGBT 多用于高壓場所，所以驅動電路應與整個控制電路在電位上嚴厲隔離，普通采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。
早期 IGBT 驅動電路引見早期的 IGBT 柵極驅動電路為分立式的柵極驅動電路如下圖所示：圖 10 為直接驅動式柵極驅動電路，圖 11 為變壓器隔離式柵極驅動電路，而圖 12 為光耦隔離式柵極驅動電路。
驅動電路現狀
隨著集成技術的開展，目前 IGBT 的柵極驅動電路多采用集成芯片控制。控制方式主要還是三種：
(1)直接觸發式輸入和輸出信號之間無電氣隔離。
(2)變壓器隔離驅動
輸入和輸出信號之間采用脈沖變壓器隔離，隔離電壓等級可達 4000V，
有以下 3 種辦法
無源辦法：用變壓器次級的輸出直接驅動 IGBT (如下圖 14) ，因受伏秒均衡的限制，只適用于占空比變化不大的場所。有源辦法：變壓器只提供隔離信號，在次級另有整形放大電路來驅動 IGBT，驅動波形較好，但需求單獨提供輔助電源。
自給電源法：脈沖變壓器既用于傳送驅動能量又用于高頻調制解調技術傳輸邏輯信號，分為調制型自給電源辦法和分時技術自給電源，其中調制型自給電源用整流橋來產生所需工作電源，用高頻調制解調技術來傳送邏輯信號.
3.晶閘管與 IGBT 驅動的聯絡與區別
晶閘管和 IGBT 的驅動電路之間有區別也有相似的中央。首先，兩者的驅動電路都需求將開關器件與控制電路互相隔離， 以免高壓電路對控制電路有影響。然后，兩者都是經過給門極施加驅動信號，來觸發開關器件導通的。所不同的是晶閘管驅動需求的是電流信號，而 IGBT 需求的是電壓信號。在開關器件導通以后，晶閘管的門極就失去了控制造用，若要關斷晶閘管，則要在晶閘管兩端加反向電壓;而 IGBT 的關斷則只需求在門極加負的驅動電壓，來關斷 IGBT。
4.結論
本文主要分為兩局部敘說，第一局部對晶閘管驅動電路的請求停止了敘說， 設計了相對應的驅動電路，并且將設計的電路應用于實踐的晶閘管電路中，經過仿真和實驗考證了驅動電路的可行性，對在實驗的過程中所遇到的問題停止了剖析和處理。第二局部主要論述了 IGBT 關于驅動電路的請求，并在此根底上進一步引見了目前常用到的 IGBT 的一些驅動電路，而且對其中的主要的光耦隔離驅動電路停止了仿真和實驗，考證了驅動電路的可行性。
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