mos管引腳區(qū)分，首先我們了解一下是什么及它的工作原理這些基礎知識。MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導體，描述了集成電路中的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
MOS管的工作原理（以N溝道增強型MOS場效應管）它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
mos管引腳區(qū)分
1、MOS管符號上的三個腳的辨認要抓住關鍵地方 。G極，不用說比較好認。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊。
2、他們是N溝道還是P溝道？
三個腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個腳極性。先判斷是什么溝道，再判斷三個腳極性。
3、寄生二極管的方向如何判定？
接下來，是寄生二極管的方向判斷：它的判斷規(guī)則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。
4、簡單的判斷方法，上面方法不太好記，一個簡單的識別方法是：想像DS邊的三節(jié)斷續(xù)線是連通的）不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。
MOS管引腳如何快速判斷與好壞及引腳性能
1、用10K檔，內有15伏電池。可提供導通電壓。
2、因為柵極等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。
3、利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。
4、大都源漏間有反并二極管，應注意，及幫助判斷。
5、大都封莊為字面對自已時，左柵中漏右源。以上前三點必需掌握，后兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。
如果對新拿到的不明MOS管，可以通過測定來判斷腳極，只有準確判定腳的排列，才能正確使用。
管腳測定方法
①柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。
②漏極D、源極S及類型判定：用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現兩種情況：
a．若讀數由原來較大值變?yōu)?（0×10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。
b．若讀數仍為較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時若讀數為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。
MOS管作用是什么
MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導體，描述了集成電路中的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
MOS管可以用作可變電阻也可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關。
有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。
在一般電子電路中，通常被用于放大電路或開關電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數字表示。
目前在主板或顯卡上所采用的并不是太多，一般有10個左右，主要原因是大部分被整合到IC芯片中去了。由于主要是為配件提供穩(wěn)定的電壓，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和內存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管，而內存插槽則共用了一組MOS管，一般是以兩個組成一組的形式出現主板上的。
還有一個非常重要的性能參數。主要包括環(huán)境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由于CPU頻率的提高，MOS管需要承受的電流也隨著增強，提供近百A的電流已經很常見了。
MOS管的性能參數有哪些
優(yōu)質的MOS管可以接受的電流峰值更高。普通狀況下我們要判別主板上MOS管的質量上下，能夠看它能接受的最大電流值。影響MOS管質量上下的參數十分多，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無法標注這么多參數，所以在MOS管外表普通只標注了產品的型號，我們能夠依據該型號上網查找詳細的性能參數。 還要闡明的是，溫度也是MOS管一個十分重要的性能參數。主要包括環(huán)境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由于CPU頻率的進步，MOS管需求接受的電流也隨著加強，提供近百A的電流曾經很常見了。如此宏大的電流經過時產生的熱量當然使MOS管“發(fā)燒”了。為了MOS管的平安，高質量主板也開端為MOS管加裝散熱片了。
電感與MOS管是如何協作的
經過上面的引見，我們知道MOS管關于整個供電系統起著穩(wěn)壓的作用，但是MOS管不能單獨運用，它必需和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才干發(fā)揮充沛它的優(yōu)勢。 主板上的PWM(PlusWidthModulator，脈沖寬度調制器)芯片產生一個寬度可調的脈沖波形，這樣能夠使兩只MOS管輪番導通。當負載兩端的電壓(如CPU需求的電壓)要降低時，這時MOS管的開關作用開端生效，外部電源對電感停止充電并到達所需的額定電壓。當負載兩端的電壓升高時，經過MOS管的開關作用，外部電源供電斷開，電感釋放出方才充入的能量，這時的電感就變成了“電源”，繼續(xù)對負載供電。隨著電感上存儲能量的不時耗費，負載兩端的電壓又開端逐步降低，外部電源經過MOS管的開關作用又要充電。這樣循環(huán)不時地停止充電和放電的過程，從而構成一種穩(wěn)定的電壓，永遠使負載兩端的電壓不會升高也不會降低。
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