功率mos
文中列出了烜芯微半導(dǎo)體大功率mos參數(shù)表，請(qǐng)查看下表。先了解一下功率mos，功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)。
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級(jí)的器件。功率MOSFET可分為增強(qiáng)型和耗盡型，按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。
大功率mos參數(shù)表
烜芯半導(dǎo)體大功率mos參數(shù)表如下：
|
Part Number |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
|
5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
|
4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
|
5N50H |
5 |
500 |
1.25 |
1.5 |
525 |
|
840S |
8 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
4750S |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
4850A |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
6450A |
13 |
500 |
0.4 |
0.48 |
2149 |
|
6650A |
15 |
500 |
0.33 |
0.45 |
2148 |
|
18N50H |
18 |
500 |
0.25 |
0.32 |
2500 |
|
20N50H |
20 |
500 |
0.21 |
0.26 |
2700 |
|
24N50H |
24 |
500 |
0.16 |
0.2 |
3500 |
|
7650A |
25 |
500 |
0.17 |
0.21 |
4280 |
|
8150A |
30 |
500 |
0.15 |
0.2 |
4150 |
|
10N80H |
10 |
800 |
0.85 |
1.1 |
2230 |
|
4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
|
10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
|
12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
|
7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
|
4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
|
7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
|
4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
|
4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
|
10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
|
6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
|
12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
|
6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
|
7N80H |
7 |
800 |
1.4 |
1.9 |
1300 |
|
9N90S |
9 |
900 |
1.05 |
1.4 |
2780 |
|
42150A |
2.8 |
1500 |
6.5 |
9 |
1500 |
實(shí)例應(yīng)用電路分析
1、 三星等離子V2屏開(kāi)關(guān)電源PFC部分激勵(lì)電路分析；
如下圖1所示是三星V2屏開(kāi)關(guān)電源，PFC電源部分電原理圖，圖2所示是其等效電路框圖。
圖1
圖2
圖1所示；是三星V2屏等離子開(kāi)關(guān)電源的PFC激勵(lì)部分。從圖中可以看出；這是一個(gè)并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源L1是儲(chǔ)能電感，D10是這個(gè)開(kāi)關(guān)電源的整流二極管，Q1、Q2是開(kāi)關(guān)管，為了保證PFC開(kāi)關(guān)電源有足夠的功率輸出，采用了兩只MOS管Q1、Q2并聯(lián)應(yīng)用（圖2所示；是該并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源等效電路圖，圖中可以看出該并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源是加在整流橋堆和濾波電容C5之間的），圖中Q3、Q4是灌流激勵(lì)管，Q3、Q4的基極輸入開(kāi)關(guān)激勵(lì)信號(hào)， VCC-S-R是Q3、Q4的VCC供電(22.5V)。
兩只開(kāi)關(guān)管Q1、Q2的柵極分別有各自的充電限流電阻和放電二極管，R16是Q2的在激烈信號(hào)為正半周時(shí)的對(duì)Q2柵極等效電容充電的限流電阻，D7是Q2在激烈信號(hào)為負(fù)半周時(shí)的Q2柵極等效電容放電的放電二極管，同樣R14、D6則是Q1的充電限流電阻和放電的放電二極管。R17和R18是Q1和Q2的關(guān)機(jī)柵極電荷泄放電阻。D9是開(kāi)機(jī)瞬間浪涌電流分流二極管。
大功率MOS管特性
上述大功率MOS管工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論：
1） MOS管是一個(gè)由改變電壓來(lái)控制電流的器件，所以是電壓器件。
2） MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。
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